IKW50N65EH5 IGBT管/模块 Infineon 原装现货
IKW50N65EH5
规格信息：
封装/外壳：PG-TO247-3
填料类型：管
湿度等级：NA
td（关闭）：172.0ns
tf:35.0ns
技术：IGBT沟槽顶部™ 5.
Irrm:17.0A
Eoff:0.5mJ
tr:29.0ns
Eoff（硬切换）：0.5mJ
包装：TO-247
预算价格€/1k:1.98
ICpuls最大值：200.0A
最大功率：275.0W
IC（@25°）最大值：80.0A
td（on）：25.0ns
开关频率最小值最大值：30.0kHz 100.0kHz
如果最大值：80.0A
开关频率：TRENCHSTOP™5 30-100千赫
QGate:120.0nC
最大电压等级：650.0V
Eon:1.5mJ
VCE最大值：650.0V
变频：1.35V
VCE（sat）：1.65V
IFpuls最大值：200.0A
IC（@100°）最大值：50.0A
Qrr:1100.0nC
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
规格信息：
封装/外壳：PG-TO247-3
填料类型：管
湿度等级：NA
td（关闭）：172.0ns
tf:35.0ns
技术：IGBT沟槽顶部™ 5.
Irrm:17.0A
Eoff:0.5mJ
tr:29.0ns
Eoff（硬切换）：0.5mJ
包装：TO-247
预算价格€/1k:1.98
ICpuls最大值：200.0A
最大功率：275.0W
IC（@25°）最大值：80.0A
td（on）：25.0ns
开关频率最小值最大值：30.0kHz 100.0kHz
如果最大值：80.0A
开关频率：TRENCHSTOP™5 30-100千赫
QGate:120.0nC
最大电压等级：650.0V
Eon:1.5mJ
VCE最大值：650.0V
变频：1.35V
VCE（sat）：1.65V
IFpuls最大值：200.0A
IC（@100°）最大值：50.0A
Qrr:1100.0nC
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs