IPD65R650CE 场效应管(MOSFET) Infineon 原装现货
IPD65R650CE
规格信息：
封装/外壳：PG-TO252-3
包装类型：胶带和卷筒
湿度等级：3
RDS（打开）最大值：650.0米Ω
IDpuls最大值：18.0A
VDS最大值：650.0V
最大内径：7.0A
包装：DPAK（TO-252）
Rth:2.0K/W
问题：23.0nC
预算价格€/1k：0.45
最低工作温度：-40.0°C
Ptot最大值：63.0W
极性：N
引脚数：3.0引脚
RthJA最大值：62.0K/W
安装：SMT
VGS（th）最小最大值：2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs公司
规格信息：
封装/外壳：PG-TO252-3
包装类型：胶带和卷筒
湿度等级：3
RDS（打开）最大值：650.0米Ω
IDpuls最大值：18.0A
VDS最大值：650.0V
最大内径：7.0A
包装：DPAK（TO-252）
Rth:2.0K/W
问题：23.0nC
预算价格€/1k：0.45
最低工作温度：-40.0°C
Ptot最大值：63.0W
极性：N
引脚数：3.0引脚
RthJA最大值：62.0K/W
安装：SMT
VGS（th）最小最大值：2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs公司