STM32H750IBK6 UFBGA-176 单片机 价格最低

描述

     STM32H750xB设备是基于高性能的Arm®Cortex®-M7 32位RISC核心，工作频率高达480 MHz。Cortex®-M7核心具有浮点单元（FPU），支持Arm®双精度（IEEE 754兼容）和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H750xB设备支持一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。

    STM32H750xB设备将高速嵌入式内存与128千字节的闪存，1兆字节的内存（包括192千字节的中医内存，864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM），以及广泛的增强I/O和外围设备连接到APB总线，AHB总线，2x32位multi-AHB总线矩阵和多层AXI互连支持内部和外部内存访问。

   所有设备提供三个adc，两个dac，两个超低功率比较器，一个低功率RTC，一个高分辨率计时器，12个通用16位计时器，两个用于电机控制的PWM计时器，五个低功率计时器，一个真正的随机数发生器（RNG）和一个加密加速单元。该设备支持四个数字滤波器的外部信号调制器（DFSDM）。它们还具有标准的和先进的通信接口。

标准外围设备

–四个I2C

–四个USART、四个UART和一个LPUART

–六个SPI，三个I2S处于半双工模式。为了实现音频级精度

I2S外围设备可以由专用内部音频PLL或外部音频PLL计时

时钟以允许同步。

–四个SAI串行音频接口

–一个SPDIFRX接口

–一个SWPMI（单线协议主接口）

–管理数据输入/输出（MDIO）从机

–两个SDMMC接口

–USB OTG全速和USB OTG高速接口全速

能力（使用ULPI）

–一个FDCAN加一个TT-FDCAN接口

–以太网接口

–Chrom ART加速器

–HDMI-CEC公司

 高级外围设备包括

–灵活的存储器控制（FMC）接口

–四SPI闪存接口

–CMOS传感器的摄像头接口

–LCD-TFT显示控制器

–JPEG硬件压缩器/解压缩器

   STM32H750xB设备工作在-40至+85°C温度范围内，从1.62到3.6 V电源。通过使用外部电源主管（见第3.5.2节：电源主管），并将PDR_ON引脚连接到VSS，电源电压可降至1.62 V。否则，在启用嵌入式电源电压检测器后，电源电压必须保持在1.71 V以上。

   除LQFP100外，所有软件包上都提供USB（OTG_FS和OTG_HS）的专用电源输入，以允许更大的电源选择。

   一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

   STM32H750xB设备有3个包，从100个针到240个针/球。包含的外围设备集随所选设备而变化。

   这些特性使STM32H750xB微控制器适用于广泛的应用：

电机驱动和应用控制

 医疗设备

 工业应用：PLC、逆变器、断路器

 打印机和扫描仪

 报警系统、视频对讲机和暖通空调

 家用音响设备

 移动应用、物联网

 可穿戴设备：智能手表。

特征

果心

 32位Arm®Cortex®-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 KB数据

以及16K字节的指令缓存；频率

最高480 MHz，MPU，1027 DMIPS/

2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP

说明书

回忆

 128 KB闪存

 1 MB内存：192 KB TCM RAM（股份有限公司。

64 KB的ITCM RAM+128 KB的

用于时间关键例程的DTCM RAM），

864 KB的用户SRAM和4 KB的

备份域中的SRAM

 双模四SPI存储器接口

运行频率高达133 MHz

 灵活的外部存储控制器

32位数据总线：

–SRAM、PSRAM、NOR闪存

同步时钟频率高达133 MHz

模式

–SDRAM/LPSDR SDRAM

–8/16位NAND闪存

 CRC计算单元

安全

 ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件

升级支持，安全访问模式

通用输入/输出

 最多168个具有中断能力的I/O端口

重置和电源管理

 3个独立的电源域

独立时钟门控或关闭：

–D1：高性能能力

–D2：通信外围设备和定时器

–D3：复位/时钟控制/电源管理

 1.62至3.6 V应用电源和I/O

 POR、PDR、PVD和BOR

 专用USB电源嵌入3.3 V

为内部PHY供电的内部调节器

 嵌入式调节器（LDO），可配置

提供数字电路的可缩放输出

 运行和停止模式下的电压缩放（6

可配置范围）

 备用调节器（~0.9 V）

 模拟外围/VREF的参考电压+

 低功耗模式：睡眠、停止、待机和

VBAT支持电池充电

低功耗

 VBAT电池充电工作模式

能力

 CPU和域电源状态监视引脚

 待机模式下2.95µA（备用SRAM关闭，

RTC/LSE打开）

时钟管理

 内部振荡器：64 MHz HSI，48 MHz

HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI

 外部振荡器：4-48 MHz HSE，

32.768千赫LSE

 3×PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟）