TPS53315RGFT VQFN-40 DC-DC电源芯片 价格优惠
特性
转换输入电压范围：3 V至15 V
VDD输入电压范围：4.5 V至25 V
输出电压范围：0.6 V至5.5 V
5V LDO输出
12-A连续集成功率MOSFET
输出电流
<10µA关闭电流
自动跳过生态模式™ 对于轻负载效率
D形顶盖™ 快速瞬态响应模式
可选择的开关频率从250 kHz到
1 MHz，带外部电阻器
内置1%，0.6-V参考
0.7-ms、1.4-ms、2.8-ms和5.6-ms可选
内部电压伺服软启动
预充电启动能力
集成增压开关
通过外部电阻器调节过电流限制
过电压/欠电压、UVLO和过电压-
温度保护
支持所有陶瓷输出电容器
开漏功率良好指示
40引脚VQFN封装，带热垫
说明
TPS53315是D-CAP™ 具有集成MOSFET的12-A同步开关。它的设计便于使用，外部部件数量少，且功率系统封装小。
该设备具有单轨输入支持、一个19-mΩ和一个7-mΩ集成MOSFET、精确1%、0.6 V参考电压和集成升压开关。竞争性特征的示例包括：最高效率超过96%，3 V至15 V宽的输入电压范围，非常低的外部组件数量，D-CAP™ 超快速瞬态模式控制，可选择自动跳过和PWM操作，内部软启动控制，频率可调，无需补偿。
转换输入电压范围为3V至15V，电源电压范围为4.5V至25V，输出电压范围为0.6V至5.5V。
转换输入电压范围：3 V至15 V
VDD输入电压范围：4.5 V至25 V
输出电压范围：0.6 V至5.5 V
5V LDO输出
12-A连续集成功率MOSFET
输出电流
<10µA关闭电流
自动跳过生态模式™ 对于轻负载效率
D形顶盖™ 快速瞬态响应模式
可选择的开关频率从250 kHz到
1 MHz，带外部电阻器
内置1%，0.6-V参考
0.7-ms、1.4-ms、2.8-ms和5.6-ms可选
内部电压伺服软启动
预充电启动能力
集成增压开关
通过外部电阻器调节过电流限制
过电压/欠电压、UVLO和过电压-
温度保护
支持所有陶瓷输出电容器
开漏功率良好指示
40引脚VQFN封装，带热垫
说明
TPS53315是D-CAP™ 具有集成MOSFET的12-A同步开关。它的设计便于使用，外部部件数量少，且功率系统封装小。
该设备具有单轨输入支持、一个19-mΩ和一个7-mΩ集成MOSFET、精确1%、0.6 V参考电压和集成升压开关。竞争性特征的示例包括：最高效率超过96%，3 V至15 V宽的输入电压范围，非常低的外部组件数量，D-CAP™ 超快速瞬态模式控制，可选择自动跳过和PWM操作，内部软启动控制，频率可调，无需补偿。
转换输入电压范围为3V至15V，电源电压范围为4.5V至25V，输出电压范围为0.6V至5.5V。
TPS53315采用5 mm×7 mm 40针VQFN封装，温度范围为-40°C至85°C。
简化的应用程序
