描述
利用新的现场停止IGBT技术,ON半导体的现场停止IGBT提供了最佳的性能,为太阳能逆变器、UPS、焊机、微波炉、电信、ESS和PFC应用,低传导和开关损耗是必不可少的。
特征
•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat)=1.8 V@IC=40 A
•高输入阻抗
•快速切换
•该设备不含铅,符合RoHS标准
应用
•太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC、微波炉、电信、ESS
描述
利用新的现场停止IGBT技术,ON半导体的现场停止IGBT提供了最佳的性能,为太阳能逆变器、UPS、焊机、微波炉、电信、ESS和PFC应用,低传导和开关损耗是必不可少的。
特征
•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat)=1.8 V@IC=40 A
•高输入阻抗
•快速切换
•该设备不含铅,符合RoHS标准
应用
•太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC、微波炉、电信、ESS