规格信息:
Rohs:Lead free / RoHS Compliant
标准包装:1,000
配置 :3 Phase Bridge
Input 型 :Inverting
延迟时间 :425ns
电流 - 峰值:200mA
配置数:1
输出数 :3
高压侧电压 - 马克斯(引导):600V
- 电源电压:10 V ~ 20 V
操作温度 :-40°C ~ 125°C
安装类型 :Surface Mount
包/盒 :28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
供应商器件封装:28-SOIC W
包装材料 :Tape & Reel (TR)
包装:28SOIC W
驱动器类型:High and Low Side
驱动程序配置:Inverting
输出数:6
最大工作电源电压:20 V
最低工作电源电压:10 V
峰值输出电流:0.35(Typ) A
最大功率耗散:1600 mW
输入逻辑相容性:CMOS|LSTTL|3.3V(Min)
最大上升时间:190 ns
最大开启延迟时间:550 ns
最大下降时间:75 ns
工作温度:-40 to 125 °C
安装:Surface Mount
标准包装:Tape & Reel
RoHS:RoHS Compliant
产品:MOSFET Gate Drivers
类型:High and Low Side
上升时间:190 ns
下降时间:75 ns
电源电压 - 最大:20 V
电源电压 - 最小:10 V
最高工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装/外壳:SOIC-28 Wide
封装:Reel
配置:Inverting
最大关闭延迟时间:400 ns
最低工作温度:- 40 C
驱动器数:6
输出电流:200 mA
工厂包装数量:1000
安装类型:Surface Mount
配置数:1
供应商设备封装:28-SOIC W
电压 - 电源:10 V ~ 20 V
输入类型:Inverting
高端电压 - 最大值(自启动):600V
电流 - 峰值:200mA
延迟时间:425ns
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
其他名称:IR2136SPBFDKR
输入逻辑电平:CMOS/LSTTL/3.3V
功率耗散:1.6 W
工作温度范围:-40C to 125C
包装类型:SOIC W
引脚数:28
启动时间(最大值):550 us
工作温度分类:Automotive
关断延迟时间:550 ms
弧度硬化:No
工作电源电压(最小值):10 V
工作电源电压(最大值):20 V
设备类型::IGBT, MOSFET
Module Configuration::Half Bridge
Supply Voltage Min::12V
Supply Voltage Max::20V
Driver Case Style::SOIC
No. of Pins::28
Input Delay::425ns
