IPD65R650CE field-effect transistor (MOSFET) Infineon original off the shelf
IPD65R650CE
规格信息：
封装/外壳：PG-TO252-3
Packing Type：TAPE & REEL
Moisture Level：3
RDS (on) max：650.0mΩ
IDpuls max：18.0A
VDS max：650.0V
ID max：7.0A
Package：DPAK (TO-252)
Rth：2.0K/W
QG：23.0nC
Budgetary Price €/1k：0.45
Operating Temperature min：-40.0°C
Ptot max：63.0W
Polarity：N
Pin Count：3.0Pins
RthJA max：62.0K/W
Mounting：SMT
VGS(th) min max：2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
规格信息：
封装/外壳：PG-TO252-3
Packing Type：TAPE & REEL
Moisture Level：3
RDS (on) max：650.0mΩ
IDpuls max：18.0A
VDS max：650.0V
ID max：7.0A
Package：DPAK (TO-252)
Rth：2.0K/W
QG：23.0nC
Budgetary Price €/1k：0.45
Operating Temperature min：-40.0°C
Ptot max：63.0W
Polarity：N
Pin Count：3.0Pins
RthJA max：62.0K/W
Mounting：SMT
VGS(th) min max：2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs